KALIMANTAN UTARA — CXMT, produsen memori asal China yang selama ini mengejar ketertinggalan dari Samsung dan SK Hynix, dikabarkan mencapai tonggak penting dalam pengembangan DRAM generasi berikutnya. Perusahaan ini mulai menerapkan teknologi High-k Metal Gate (HKMG) pada transistor DRAM sebagai dasar menuju node 1a yang lebih kecil dan efisien.
Mengapa Material Baru Ini Krusial untuk Chip yang Lebih Cepat dan Irit Daya
Dalam transistor konvensional, silikon dioksida berfungsi sebagai lapisan isolator yang mengatur aliran listrik. Masalahnya, ketika ukuran transistor menyusut, lapisan ini juga harus semakin tipis sehingga listrik mudah bocor. Kebocoran tersebut berujung pada konsumsi daya dan panas yang lebih tinggi.
HKMG menawarkan solusi dengan mengganti silikon dioksida menggunakan material high-k seperti hafnium oxide. Material ini dapat dibuat lebih tebal namun tetap mampu mengendalikan listrik seperti lapisan yang sangat tipis. Hasilnya, kebocoran listrik bisa ditekan meski dimensi transistor terus diperkecil.
Selain mengganti lapisan isolator, HKMG juga memakai gerbang logam sebagai pengganti polysilicon. Gerbang logam membantu mengurangi kehilangan efisiensi dan memungkinkan karakteristik listrik transistor diatur lebih presisi. Kombinasi material inilah yang menjaga transistor tetap efisien ketika dimensinya menyusut hingga level nanometer.
Peta Jalan Produksi: Dari Node 1z Menuju 14nm
Penerapan teknologi HKMG disebut sudah masuk ke proses G4 DRAM CXMT yang diyakini menggunakan node 1z (15nm). Teknologi serupa juga mulai diterapkan pada produk LPDDR5X miliknya. Jika pengembangan berjalan sesuai rencana, langkah ini menjadi jembatan bagi CXMT untuk beralih ke node 1a yang lebih kecil.
CXMT memang sedang agresif memperluas lini produk memorinya. Perusahaan dilaporkan sudah memasuki tahap produksi HBM2E dan mulai melakukan sampling HBM3 menggunakan proses G4. Mereka juga telah menyelesaikan tahap verifikasi R&D untuk chip DDR6.
Apa Artinya untuk Pasar Memori Global
Keberhasilan CXMT mengejar teknologi node 1a berpotensi mengubah peta persaingan industri DRAM yang selama ini didominasi tiga pemain besar: Samsung, SK Hynix, dan Micron. Kehadiran pemain keempat dengan kapasitas produksi signifikan bisa menekan harga DRAM di pasar global, termasuk Indonesia.
Meski begitu, CXMT masih menghadapi tantangan besar. Sanksi teknologi dari AS membatasi akses ke peralatan litografi canggih. Kemajuan ini menunjukkan bahwa produsen China terus mencari jalan alternatif untuk tetap kompetitif di tengah pembatasan tersebut. Bagi konsumen, manufaktur yang lebih efisien berarti produk akhir seperti smartphone dan laptop dapat menikmati performa lebih tinggi dengan konsumsi daya lebih rendah.
